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J-GLOBAL ID：200903005821817789

イオンドーピング装置

Inventor： 立道 潤一 ,  小西 正志 ,  小野田 正敏 ,  安東 靖典
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994234039
Publication number (International publication number)：1996077959
Application date： Sep. 01, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 広範囲の原料ガス濃度で作動し、低原料ガス濃度で濃度の誤差に左右されず、低ドーズ量注入でも制御性、ドーズ量精度を高く保つ。【構成】 原料ガス54をガス導入口12に供給する原料ガス源52と、そのガスラインに並列の最小制御流量が小さい流量調整弁60および大きい流量調整弁62と、それらのガスラインを択一的に切り換えて開く原料ガス用弁56、58と、希釈ガス66をガス導入口に供給する希釈ガス源64と、そのガスラインに挿入した希釈ガス用弁68および流量調整弁70と、真空容器2内のガス中に含まれるドーピング原料の量を計測する計測器72と、それからの信号に応答して流量調整弁60および70を制御して、真空容器2内のガス中に含まれるドーピング原料の濃度が一定になるように、流量調整弁60、70を流れるガス流量を制御する制御装置80とを備える。

Claim (excerpt)：

ガス導入口を有しておりかつ真空に排気される真空容器と、この真空容器内に設けられていて基板を保持するホルダと、前記真空容器に取り付けられていてそのガス導入口から真空容器内に導入されたガスを用いてイオンビームを発生させるイオン源とを備えていて、このイオン源で発生させたイオンビームを質量分離を行うことなく前記ホルダ上の基板に照射してイオン注入を行うよう構成されたイオンドーピング装置において、ドーピング原料を含む原料ガスを前記ガス導入口に供給する原料ガス源と、この原料ガス源から前記ガス導入口に至るガスラインに互いに並列に挿入されていて最小制御流量が相対的に小さい第1の流量調整弁および最小制御流量が相対的に大きい第2の流量調整弁と、この第1の流量調整弁のガスラインと第2の流量調整弁のガスラインとを択一的に切り換えて開く原料ガス用弁と、原料ガスの希釈用の希釈ガスを前記ガス導入口に供給する希釈ガス源と、この希釈ガス源から前記ガス導入口に至るガスラインに挿入された第3の流量調整弁と、この第3の流量調整弁のガスラインを開閉する希釈ガス用弁と、前記真空容器内のガス中に含まれるドーピング原料の量を計測する計測器と、この計測器からの計測信号に応答して前記第1および第3の流量調整弁を制御して、両流量調整弁を流れる合計のガス流量を一定に保ちつつ、前記真空容器内のガス中に含まれるドーピング原料の濃度が一定になるように、両流量調整弁を流れるガスの流量をそれぞれ制御する制御装置とを備えることを特徴とするイオンドーピング装置。

IPC (5)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/425

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-243358
  
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227971   Applicant：シヤープ株式会社
• 特開昭63-124355
  
• 特開昭61-066354