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J-GLOBAL ID：200903005822978964

半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： 折坂 伸治 ,  野田 実
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992109210
Publication number (International publication number)：1993283542
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路の多層配線構造の作製において、低誘電率の層間絶縁膜を実現することにより配線容量の低減を図り回路動作速度の高速化を行う。【構成】 従来の絶縁膜材料の内部にサブミクロンオーダーの空孔、あるいは気泡を形成して、実効的な誘電率を低下させる。これにより多層配線間に発生する静電容量を低減させる。

Claim (excerpt)：

基板と配線層との間もしくは下層配線層と上層配線層との間に配置される層間絶縁膜を有する半導体集積回路装置において、上記層間絶縁膜が、その内部全体に分散して配置された気泡又は空孔を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。