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J-GLOBAL ID:200903005830407372
光学薄膜の製造方法および製造装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995307724
Publication number (International publication number):1997143702
Application date: Nov. 27, 1995
Publication date: Jun. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 温度や湿度の使用環境が変化しても、光学特性が変わらない耐環境性の高い光学薄膜を得ることを目的とする。【解決手段】所定の圧力に維持された第1の空間中でプラズマを生成し、第1の空間で維持される圧力よりも低い圧力に維持される第2の空間中に設置された蒸着物質に、生成されたプラズマを照射することで蒸着物質を蒸発させ、第2の空間中に酸素ガスを導入することで蒸発した前記蒸着物質を酸化させ、第2の空間中に設けられた基板に前記酸化された蒸着物質を成膜して製造する光学薄膜の製造方法において、蒸着物質として珪素を用い、第2の空間中に備えられた前記基板を保持する基板保持部材と、第2の空間中に備えられた蒸着物質を載置する蒸着物質載置部材とにバイアス電圧を印加することとした。
Claim (excerpt):
所定の圧力に維持された第1の空間中でプラズマを生成し、前記第1の空間で維持される圧力よりも低い圧力に維持される第2の空間中に設置された蒸着物質に前記生成されたプラズマを照射することで前記蒸着物質を蒸発させ、前記第2の空間中に酸素ガスを導入することで蒸発した前記蒸着物質を酸化させ、前記第2の空間中に設けられた基板に前記酸化された蒸着物質を成膜して製造する光学薄膜の製造方法において、前記蒸着物質として珪素を用い、前記第2の空間中に備えられた前記基板を保持する基板保持部材と、前記第2の空間中に備えられた前記蒸着物質を載置する蒸着物質載置部材とにバイアス電圧を印加することを特徴とする光学薄膜の製造方法
IPC (2):
FI (2):
C23C 14/32 Z
, C23C 14/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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薄膜状酸化物の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-281918
Applicant:株式会社ニコン
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酸化物薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-042749
Applicant:三洋電機株式会社
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イオンプレーティング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-053325
Applicant:株式会社ニコン
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