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J-GLOBAL ID：200903005832020289

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置

Inventor： 竹知 和重 ,  中田 充
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  NEC液晶テクノロジー株式会社
Agent (1)： 天野 広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006217273
Publication number (International publication number)：2008040343
Application date： Aug. 09, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】 酸化物半導体膜を用いた従来の薄膜トランジスタアレイでは、外部駆動回路と薄膜トランジスタアレイの信号線端子との良好な接続を確保できるアレイ構造は実現されていなかった。【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部14、ソース部15、ドレイン部16と、画素電極13と、ゲート信号線11及びソース信号線12の端部の接続用端子部18、17も同一の酸化物半導体で形成する。薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜19の所望の位置に開口部を設ける。そして、開口部を介して酸化物半導体膜26を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部18、17、ソース・ドレイン部15、16、画素電極13を同時に低抵抗化する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、 それぞれ酸化物半導体膜からなるチャネル部及びソース・ドレイン部を有し、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのドレイン部と一体的に形成された画素電極と、 複数の前記薄膜トランジスタからなる一組の薄膜トランジスタ郡にソース信号を供給するソース信号線と、 複数の前記薄膜トランジスタからなる一組の薄膜トランジスタ郡にゲート信号を供給するゲート信号線と、 前記ソース信号線の端部に設けられたソース接続用端子部と、 前記ゲート信号線の端部に設けられたゲート接続用端子部と、 を具備した薄膜トランジスタアレイにおいて、 前記ソース接続用端子部及び前記ゲート接続用端子部が、前記チャネル部と同層であり、前記ソース接続用端子部及び前記ゲート接続用端子部の導電率が前記画素電極と同等であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (4)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/133 ,  H01L 21/336

FI (6)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612C ,  G02F1/1333 500 ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K

F-Term (56)：

2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK04 ,  5F110HK41 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HL26 ,  5F110HL27 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180317   Applicant：ローム株式会社

Cited by examiner (2)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180317   Applicant：ローム株式会社
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社