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J-GLOBAL ID：200903005838053162

多結晶シリコン薄膜形成方法およびMOSトランジスタのチャネル形成方法

Inventor： 池田 裕司 ,  野口 隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049801
Publication number (International publication number)：1995235490
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶性を従来以上に向上させた多結晶シリコン薄膜の形成方法、およびその多結晶シリコン薄膜を用いることで、電気的特性に優れたトランジスタのチャネル形成方法を提供すること。【構成】 基板上に好ましくは30nm〜50nmの膜厚の非晶質シリコン層を形成する。次いで第2の工程で、基板加熱を行って非晶質シリコン層を、好ましくは350〜500°C、さらに好ましくは350°C〜450°Cに設定する。その後、第3の工程で、少なくとも非晶質シリコン層に、エキシマレーザーエネルギー密度100mJ/cm2 〜500mJ/cm2 、好ましくは280mJ/cm2 〜330mJ/cm2 、パルス幅80ns〜200ns、好ましくは140ns〜200nsのエキシマレーザ光を照射し、非晶質シリコン層の直接アニールを行って、多結晶シリコン薄膜を形成する。エキシマレーザ光照射に用いるレーザ照射装置のトータルエネルギーは、5J以上、好ましくは10J以上である。

Claim (excerpt)：

第1の工程で、基板上に、所定膜厚の非晶質シリコン層を形成し、次いで第2の工程で、非晶質シリコン層を所定温度に設定し、その後第3の工程で、トータルエネルギーが5J以上のレーザ光発生装置を用いて、少なくとも非晶質シリコン層に、レーザーエネルギー密度100mJ/cm2 〜500mJ/cm2 のレーザ光を、ワンショットで10cm2 以上の面積に照射して、多結晶シリコン薄膜を形成する多結晶シリコン薄膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336