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J-GLOBAL ID：200903005838965250

被覆パターン形成用マスク

Inventor： 中村 清 ,  青木 清 ,  林 但
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227603
Publication number (International publication number)：1995166318
Application date： Sep. 30, 1987
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【構成】 窒化けい素セラミックスの焼結体で形成され、被覆層のパターンに応じた形状寸法を有し、表面粗さがRmaxで0.2S以下である被覆パターン形成用マスクである。【効果】 溶融した金属の溶着を防止して、長期にわたり精度良く被覆層を形成することができ、かつ高い耐久性を有する被覆パターン形成用マスクが得られる。

Claim (excerpt)：

窒化けい素セラミックスの焼結体で形成され、被覆層のパターンに応じた形状寸法を有し、かつ表面粗さがRmaxで0.2S以下であることを特徴とする被覆パターン形成用マスク。

IPC (3)：

C23C 4/02 ,  C04B 41/80 ,  C23C 4/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-002662
  
• 特開昭61-295366
  
• 特開昭62-182163
  
• 特開昭58-151371