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J-GLOBAL ID：200903005839389423

半導体レ-ザおよび半導体レ-ザの形成方法

Inventor： ヨン・チェン ,  シー・ヤン・ワン
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999216917
Publication number (International publication number)：2000077770
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】端面ミラーの形成が容易な端面発光半導体レーザ。【解決手段】半導体レーザには、第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1の層[52]と;第1の層[52]に接して開口部を備え、前記III-V族半導体材料が核化しない材料からなるマスク[54]と;前記開口部の下方の第1の層の一部から成長し、前記マスク上に延びる、第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第2の層[61]と;第2の層[61]の上に重畳する、前記第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1のクラッド層[63]と;その上の活性層[64]と;前記第1の層とは逆のタイプのIII-V族半導体材料からなる、活性層上の第2のクラッド層[65]と;前記逆のタイプのIII-V族半導体材料からなり、第2のクラッド層上で結晶層を構成しその2つのファセットが、端面ミラーを形成する、第3の層[66]とが含まれている。

Claim (excerpt)：

第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1の層と;前記第1の層と接触する開口部を備え、前記III-V族半導体材料が核化しない材料からなるマスクと;前記開口部の下方にある前記第1の層の一部から成長し、前記マスク上に延びる、前記第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第2の層と;前記第2の層の上に重畳する、前記第1の半導体タイプのIII-V族半導体材料による第1のクラッド層と;正孔と電子が再結合すると、光を発生する、前記第1のクラッド層上に重畳した活性層と;前記第1の層とは逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記活性層の上に重畳した第2のクラッド層と;前記逆の半導体タイプのIII-V族半導体材料からなり、前記クラッド層の上に重畳した結晶層を構成し、前記結晶層の2つのファセットが、前記活性層を含む光学空洞の両端においてミラーを形成する、第3の層とが含まれている、半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/028 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 640 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 618