Pat

J-GLOBAL ID：200903005843374031

光変調磁性半導体およびその作製方法

Inventor： 宗片 比呂夫 ,  羽根田 茂
Applicant, Patent owner： 財団法人 理工学振興会
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999282835
Publication number (International publication number)：2001108951
Application date： Oct. 04, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光照射により磁性体微粒子間の相互作用が変化して磁性が変調し、高速応答の光記録媒体や光変調器に応用できる光変調磁性半導体を提供する。【解決手段】 光照射によりキャリアを生成する半導体結晶の中に、磁性体微粒子を分散せしめた磁性半導体であって、光照射により該磁性体微粒子間の相互作用が変化して磁性が変調する。半導体結晶は、 III-V族系、II-VI族系、IV族系、非晶質系で、好ましくはGaAsである。磁性体微粒子は、結晶性または非晶質性で、遷移金属元素(Fe)及び/または希土類元素を含むものであり、該微粒子の表面には、該微粒子とは異なる反強磁性またはフェリ磁性の化合物(Fe-As) が形成されている。真空蒸着により、半導体結晶の表面に、数原子〜数十原子層の高さの磁性体を3次元島状に堆積し、続いて、該3次元島状の磁性体を包み込むように半導体結晶を堆積して、新たな表面を形成することを繰り返して作製する。

Claim (excerpt)：

半導体結晶の中に、磁性体微粒子が分散していて、光照射により磁性が変調することを特徴とする光変調磁性半導体。

IPC (7)：

G02F 1/09 501 ,  G02F 1/015 501 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 511 ,  G11B 11/105 546 ,  H01F 1/40 ,  H01F 41/20

FI (7)：

G02F 1/09 501 ,  G02F 1/015 501 ,  G11B 11/105 506 Z ,  G11B 11/105 511 G ,  G11B 11/105 546 B ,  H01F 41/20 ,  H01F 1/00 A

F-Term (29)：

2H079AA05 ,  2H079AA08 ,  2H079CA23 ,  2H079DA14 ,  2H079DA16 ,  5D075FF20 ,  5D075GG02 ,  5D075GG16 ,  5E040AA03 ,  5E040AA06 ,  5E040AA11 ,  5E040AA14 ,  5E040AA19 ,  5E040AA20 ,  5E040BB01 ,  5E040BC01 ,  5E040BD03 ,  5E040CA06 ,  5E040CA11 ,  5E040CA16 ,  5E040HB14 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC01 ,  5E049BA23 ,  5E049HC01