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J-GLOBAL ID：200903005843520356

カーボン・ナノチューブ作成方法

Inventor： 小野 崇人 ,  江刺 正喜
Applicant, Patent owner： 株式会社 東北テクノアーチ
Agent (1)： 重信 和男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000379334
Publication number (International publication number)：2002179418
Application date： Dec. 13, 2000
Publication date： Jun. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 突起を有する基板に対して、突起上にカーボン・ナノチューブを成長させる方法を提供する。【解決手段】 シリコンや石英の基板上に突起を形成し、その基板に触媒金属としてニッケル、鉄、コバルト等の鉄族元素やその化合物の薄膜を堆積する。そして熱フィラメント化学気相堆積法やマイクロ波プラズマ気相堆積法を用い、基板を負電圧として、カーボン・ナノチューブを成長させる。また、前述の気相堆積法は、基板を加熱しながら行う。これらの方法により、比較的簡便にシリコンの突起上に選択的にカーボン・ナノチューブを成長させることができる。また、基板の代わりに、市販のシリコン製SPMプローブの先端にカーボン・ナノチューブを選択的に成長させることができる。カーボン・ナノチューブのプローブを用いれば、試料の形状を高分解能で正確に観察することができる。

Claim (excerpt)：

カーボン・ナノチューブ作成方法であって、突起を有する基板に対して、触媒金属の薄膜を生成し、気相堆積法を用いて、前記基板を乗せたステージを負電圧とするとともに、基板を加熱しながら、前記突起上にカーボン・ナノチューブを成長させることを特徴とするカーボン・ナノチューブ作成方法。

IPC (7)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/44 ,  G01N 13/16 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (7)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/44 A ,  G01N 13/16 C ,  H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F

F-Term (12)：

4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4K030AA05 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA06 ,  4K030CA11 ,  4K030DA02 ,  4K030KA22