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J-GLOBAL ID：200903005846542636
透明導電体材料
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150479
Publication number (International publication number)：1993343716
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 結晶性を改善して得られる導電性と透明性に優れた高品位の透明導電体材料を提供する。【構成】 酸化錫を5wt%含有する酸化インジウムの焼結体ターゲットを1%の酸素を含有するアルゴンガスでスパッタする反応性スパッタリング法で、ガラス基板1に対して(100)方向に結晶配向したITO薄膜2を形成する。こうして、酸化インジウムの稠密面(100)を基板面と平行にした理想的な結晶配向に成るように結晶性を改善して得られたITOは、電気的特性および光学的特性に優れた高品位の透明導電体材料である。
Claim (excerpt)：
基板面に対して(100)方向に結晶配向した錫添加酸化インジウム膜から成ることを特徴とする透明導電体材料。
IPC (6)：
H01L 31/04
, C30B 29/16
, G02B 1/02
, H01B 5/14
, H01J 29/96
, C30B 23/08
