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J-GLOBAL ID：200903005847146319

テキスチャ装置およびテキスチャ加工方法

Inventor： 栗山 俊彦 ,  芳山 龍一
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997057701
Publication number (International publication number)：1998249556
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 良好なCSS特性およびスティッキング特性と磁気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチャ装置およびテキスチャ加工方法を提供する。【解決手段】 レーザビーム発振器1から出力されたレーザビームは、変調器2、ダイクロイックミラー9、集光機構5を経て基板6に照射される。集光機構5に設けられた自動焦点制御機構を制御するために、自動焦点制御機構用補助レーザ光源4からのレーザビームがビームスプリッタ3を透過し、ダイクロイックミラー9、集光機構5を経て基板6に入射され、その反射光が受光系10で受光される。この受光系10の受光光量の変動によってテキスチャ処理状況(微小突起の高さ)を検査する。

Claim (excerpt)：

磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成するためのテキスチャ装置であって、レーザビーム発振器、該発振器からのレーザビームをON/OFF制御する変調器、該変調器からのレーザビームを基板表面に照射する自動焦点制御機構と集光機構、及びレーザビームと基板とを相対的に移動させる移動手段を有するテキスチャ装置において、レーザビームの照射によって該基板表面に形成される微小突起の高さを該自動焦点制御機構のための信号によって検査する検査手段を備えたことを特徴とするテキスチャ装置。

IPC (3)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/04 ,  G11B 5/84

FI (4)：

B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/04 C ,  G11B 5/84 A