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J-GLOBAL ID：200903005863603940

半導体機能素子の製造方法

Inventor： 山田 光志 ,  国井 達夫 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225544
Publication number (International publication number)：1994077586
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 選択マスクの形成をセルフアラインで形成し、プロセスが簡便であり、ウエハの面内均一性に優れた半導体機能素子の製造方法を提供する。【構成】 第1導電型InP基板100上にエッチングストップ層102、第1導電型クラッド層104、活性層106、第2導電型クラッド層108、オーミックコンタクト層110、メサストライプ形成用の第1マスク層を順次形成し、第1マスク層を選択的にエッチングして、ストライプ状の第1マスク112を形成し、第1マスクによりオーバハングが形成されるように、オーミックコンタクト層、第2導電型クラッド層、活性層及び第1導電型クラッド層をメサエッチングし、その上に指向性の強い蒸着により埋め込み層選択成長用の第2マスク114a〜114cを蒸着し、オーバハングの陰になっている部分に電流ブロック層116としての埋め込み層を成長し、その後、電極を形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とにより上下を挟まれ、かつ左右を電流ブロック層で囲まれた活性層、導波層を有する半導体機能素子の製造方法において、(a)第1導電型基板上にエッチングストップ層、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、オーミックコンタクト層、メサストライプ形成用の第1マスク層を順次形成する工程と、(b)前記第1マスク層を選択的にエッチングして、第1マスクを形成する工程と、(c)該第1マスクによりオーバハングが形成されるように、前記オーミックコンタクト層、第2導電型クラッド層、活性層及び第1導電型クラッド層をメサエッチングする工程と、(d)その上に指向性の強い蒸着により埋め込み層選択成長用の第2マスクを蒸着する工程と、(e)オーバハングの陰になっている部分に電流ブロック層としての埋め込み層を成長する工程と、(f)第1電極及び第2電極を形成する工程とを順に施すことを特徴とする半導体機能素子の製造方法。