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J-GLOBAL ID:200903005879684355

プロセス管理システム及び集束イオンビーム装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998068513
Publication number (International publication number):1999265679
Application date: Mar. 18, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ウエハ内デバイスの膜厚を精度良く短時間で測定し、プロセスへのフィードバックを素早く行うことにより、半導体プロセスの安定稼動を実現する。【解決手段】 半導体ウエハからウエハを割らずに分析部をサンプリングできるFIB装置1、STEM2、FIBのウエハホルダとSTEMの試料ホルダに共通に装着できる小型の試料台、データベースソフトウエアを有するコンピュータ3、FIB,STEM,コンピュータ相互を接続するネットワーク5によりシステムを構成し、ウエハ内の膜厚を高精度に早く確実に測定できるようにした。
Claim (excerpt):
ウエハと試料を固定する試料台とを保持して移動できる試料ステージ、ウエハの所望場所に集束イオンビームを照射するFIBカラム、探針先端部がビーム照射点近傍で移動可能なマニピュレータ、及びビーム照射部近傍にデポジションガスを供給するガス供給源を備え、ウエハの所望の位置のデバイスあるいはデバイスの一部を集束イオンビーム加工によって試料として取り出して前記試料台に固定する機能を有する集束イオンビーム装置と、試料を固定した前記試料台を保持して移動できる試料ステージ、試料に集束した電子ビームを走査して照射する電子光学系、及び試料を透過した電子を検出する検出器を備え、前記試料台に固定された試料の所望場所に集束した電子ビームを走査し、その透過電子強度に基づいて得られる走査顕微鏡像から試料の特徴箇所の長さを測定する機能を有する走査型透過電子顕微鏡と、前記ウエハの試料取り出し位置と該位置から取り出された試料を分析したデータとを対応付けて管理できるデータベースを備えるコンピュータと、前記集束イオンビーム装置、走査型透過電子顕微鏡及びコンピュータ相互を接続するネットワークとを含むことを特徴とするプロセス管理システム。
IPC (3):
H01J 37/305 ,  G01B 21/30 ,  H01J 37/28
FI (3):
H01J 37/305 A ,  G01B 21/30 Z ,  H01J 37/28 C

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