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J-GLOBAL ID：200903005891701060

ダイアフラム構造用の熱絶縁膜およびその製造方法

Inventor： 石田 拓郎 ,  阪井 淳 ,  相澤 浩一 ,  粟井 崇善 ,  柿手 啓治
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284506
Publication number (International publication number)：1994132277
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ダイアフラム構造用の熱絶縁膜として、歪みや破壊の発生がないとともに、熱絶縁性にも優れており、製造も容易なダイアフラム構造用の熱絶縁膜、および、その製造方法を提供する。【構成】 周辺のみを基板10に支持された中空状態で形成されるダイアフラム構造用の熱絶縁膜20であって、基板10側から順に、窒化シリコン層22、および、シリコンと酸素の組成比が異なる複数の酸化シリコン層23〜25が積層されていることにより、各層の残留能力が互いに打ち消し合い、熱絶縁膜全体の残留応力を緩和して、熱絶縁膜の歪みや破壊を防止することができるとともに、窒化シリコン層が、基板10に中空部をエッチング形成する際のエッチングストップ層として有効に働く。

Claim (excerpt)：

周辺のみを基板に支持された中空状態で形成されるダイアフラム構造用の熱絶縁膜であって、基板側から順に、窒化シリコン層、および、シリコンと酸素の組成比が異なる複数の酸化シリコン層が積層されていることを特徴とするダイアフラム構造用の熱絶縁膜。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 23/15