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J-GLOBAL ID:200903005898667828

導電性高分子金属錯体とその製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992159417
Publication number (International publication number):1994001832
Application date: Jun. 18, 1992
Publication date: Jan. 11, 1994
Summary:
【要約】【目的】 化学的に安定で、高い導電性が期待でき、しかも成形加工性のよい金属錯体導電性高分子およびその製造方法を得る。【構成】 次の一般式【化1】〔式中のL1 、L2 は配位子、Mは遷移金属イオン、A- は電荷を中和するための陰イオンを示す〕を繰返し単位として成る導電性高分子金属錯体。
Claim (excerpt):
次の一般式【化1】(式中のL1 、L2 は配位子、Mは遷移金属イオン、A- は電荷を中和するための陰イオンを示す)を繰り返し単位として成ることを特徴とする導電性高分子金属錯体。
IPC (3):
C08G 61/12 NLJ ,  C07F 15/00 ,  H01B 1/12

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