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J-GLOBAL ID：200903005902513393

薄膜光電変換素子の製造方法および製造装置

Inventor： 佐々木 敏明 ,  清水 均
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097429
Publication number (International publication number)：1994291349
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】一つのロールから他のロールへ巻取られる帯状可撓性基板上に各層の薄膜を最適条件で成膜して多層構造の光電変換層および電極層を高い生産性で形成する。【構成】成膜を断続的に行い、成膜時には基板を停止してシール材を介して密着する壁により気密の成膜室を形成してその中で成膜する。そして、成膜室壁および裏面に接触している接地電極を退避させ、浮かした基板を搬送することにより、基板に損傷を与えることなく次の成膜位置まで移動させることができる。これにより各成膜室の成膜条件を独立して制御できるばかりでなく、厚いi層成膜中に他の成膜室で薄い層を2層あるいは3層成膜することも可能になる。さらに、基板の進行方向に垂直に移動する二つの隣接成膜室を設けて、他の成膜室で厚いi層成膜中に両成膜室で交互に成膜して装置の利用効率を高める。

Claim (excerpt)：

帯状可撓性基板の上に複数の異なる性質の薄膜を積層して少なくとも光電変換層を形成する薄膜光電変換素子の製造方法において、一線上に配列された複数の成膜室に可撓性基板を通し、基板の出入口に基板にシール材を介して密着する壁によって気密に保たれた成膜室内の所定の真空雰囲気内で停止した状態の基板の表面上に成膜し、ついで成膜室壁から離した状態の基板を次の成膜位置まで搬送する操作を繰り返すことを特徴とする薄膜光電変換素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205