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J-GLOBAL ID：200903005905799050

窒化物半導体発光素子

Inventor： 佐野 雅彦 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995279967
Publication number (International publication number)：1997129919
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 発光素子として有用なp層の新規な電極を提供することにより、外部量子効率に優れた発光素子得る。【構成】 p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極が形成されているので、透光性の電極を通して発光が観測でき、外部量子効率が向上する。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/203 M