Pat
J-GLOBAL ID：200903005907200830
磁気抵抗効果素子薄膜
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993026379
Publication number (International publication number)：1994244476
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁気抵抗変化率を大きくする。【構成】 磁性層と非磁性層をオングストロームオーダーの膜厚で交互に積層した人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が垂直磁気異方成を持つ垂直磁化膜であることを特徴とする。このような構成にすると、磁場がないときと磁場をかけ強磁性層の磁気モーメントをそろえたときの磁性層と非磁性層界面における電子の散乱能の差が大きくなるために磁気抵抗変化率を大きくすることができる。
Claim (excerpt)：
磁性層と非磁性層を交互に積層した人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が垂直磁気異方性を持つ垂直磁化膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
