Pat

J-GLOBAL ID：200903005920477078

光半導体装置

Inventor： 上西 伸二郎 ,  嶋田 克実 ,  原田 忠昭 ,  神山 博克 ,  丸橋 隆彦
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102950
Publication number (International publication number)：1995309927
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】高い光透過性を有し、耐湿信頼性に優れた光半導体装置を提供する。【構成】エポキシ樹脂(A成分),酸無水物系硬化剤(B成分)および硬化促進剤(C成分)を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物によりGaAlAsからなる光半導体素子が封止された光半導体装置である。しかも、上記硬化物の、下記抽出条件(X)における抽出水の塩素イオン濃度が3.0ppm以下に設定されている。(X)エポキシ樹脂組成物の硬化物の60メッシュパス粉砕物に対して10重量倍のイオン交換水を加えたものを85°C×500時間煮沸し抽出する。

Claim (excerpt)：

GaAlAsからなる光半導体素子を、下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物を用いて封止してなる光半導体装置であって、上記硬化物の、下記抽出条件(X)における抽出水の塩素イオン濃度が3.0ppm以下に設定されていることを特徴とする光半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)硬化促進剤。(X)エポキシ樹脂組成物の硬化物の60メッシュパス粉砕物に対して10重量倍のイオン交換水を加えたものを85°C×500時間煮沸し抽出する。

IPC (5)：

C08G 59/20 NHN ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 23/30 F ,  H01L 31/02 B