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J-GLOBAL ID：200903005923467170

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 梅田 眞司 ,  藤本 博昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294822
Publication number (International publication number)：1994151505
Application date： Nov. 04, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【構成】 基板11上に、半導体素子16の突起電極15より柔らかい絶縁膜12を形成し、絶縁膜12上面に圧延性を有する基板電極14を形成し、半導体素子16の突起電極15と基板電極14を一致させて、半導体素子16と基板11を互いに向かい合う方向に加圧し、圧延性を有する基板電極14と前記絶縁膜12を凹状に変形させて突起電極15と基板電極14との電気的接続を、半導体素子16と基板11間に絶縁性樹脂を介入させない半導体装置とその製造方法を提供する。【効果】 接着用の絶縁性樹脂を用いないため、絶縁性樹脂の塗布および硬化の工程が不要であり、生産コストが大幅に低くなり、生産性も著しく向上する。また、絶縁性樹脂の膨張や収縮力の低下によって、高温時や高湿時の電気的接続不良が生じず、高信頼性である。

Claim (excerpt)：

半導体素子の電極上に具備された突起電極と、配線基板上に具備された電極とを合致させた半導体装置において、前記配線基板上の電極を圧延性を有する材料で構成し、前記配線基板上の電極下に前記突起電極より柔らかい絶縁膜を配置し、前記突起電極と前記配線基板上の電極が合致する部分の、前記圧延性を有する電極と前記突起電極より柔らかい絶縁膜が凹状に変形し、前期凹状の部分に前期突起電極が合致していることにより、前記突起電極と前記配線基板上の電極とが電気的に接続しているとともに、前期半導体素子が機械的に前期配線基板に固定される構造を特徴とする半導体装置。