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J-GLOBAL ID：200903005923847763
光起電力装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993105001
Publication number (International publication number)：1994291342
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 異種物質界面における界面準位を低減し、光電変換効率を向上させ得る光起電力装置を提供することを目的とする。【構成】 互いに逆導電型の関係を有するp型非晶質シリコン膜3とn型単結晶シリコン基板1との間に薄膜の真性非晶質シリコン2を介在させた光起電力装置において、前記の真性非晶質シリコン2は、フッ素(F)を含有し、p型非晶質シリコン3との界面側では、n型単結晶シリコン基板1との界面側におけるよりもフッ素含有量が少なくされている。
Claim (excerpt)：
互いに逆導電型の関係を有する非晶質半導体と結晶系半導体との間に薄膜の真性非晶質半導体を介在させた光起電力装置において、前記の真性非晶質半導体は、フッ素を含有し、前記の非晶質半導体との界面側では結晶系半導体との界面側におけるよりもフッ素含有量が少なくされていることを特徴とする光起電力装置。
FI (2)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
