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J-GLOBAL ID：200903005924178105
ドライエツチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991284643
Publication number (International publication number)：1993036647
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 シリコン酸化膜またはその多層膜の微細加工において、寸法精度良く、しかも安定したエッチング形状を得るためのドライエッチング方法。【構成】 主エッチングガスとして、C元素、S元素またはC1元素を一つ含み、F元素を含んだ化合物のガス(例えばCF4)を用い、かつ添加ガスとして、C元素を一つ含み、H元素を二つ以上含んだ化合物のガス(例えばCH2F2)を用いる。【効果】 プラズマ反応により生成する堆積物のステップカバレッジが、良好なガスを主エッチングガス、添加ガス両方に用いることにより、サブミクロンレベルの微細加工において、エッチング残渣物を無くし、安定したエッチング形状を寸法精度良く形成することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン酸化膜またはその多層膜を、主エッチングガスと添加ガスを用いてドライエッチングする方法であって、前記主エッチングガスとして、C元素またはS元素またはCl元素を一つ含み、F元素を含んだ化合物のガスを用い、かつ前記添加ガスとして、C元素を一つ含み、H元素を二つ以上含んだ化合物のガスを用いることを特徴するドライエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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