Pat

J-GLOBAL ID：200903005941714851

高耐圧MOSIC

Inventor： 上原 秀俊
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210749
Publication number (International publication number)：1993055494
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高耐圧MOSICの集積度向上、高耐圧化、低オン抵抗化を実現する。【構成】 接合面となる一方の面に高濃度の不純物ド-ピング層2aを有する第1のSiウェハ3dと、接合面となる一方の面にSiO2 膜7が形成された第2のSiウェハ1aとを、前記接合面同志を直接接合し、第1のSiウェハを所望の厚さまで鏡面研磨した後、トレンチ構造を形成し、このトレンチ構造に誘電体を埋め込んで素子分離層とし、この素子分離層の側面に縦型MOSFETのドレイン取り出し層10を形成したことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

接合面となる一方の面に高濃度の不純物ド-ピング層を有する第1のSiウェハと、接合面となる一方の面にSiO2 膜が形成された第2のSiウェハとを、前記接合面同志を直接接合し、前記第1のSiウェハを所望の厚さまで鏡面研磨した後、トレンチ構造を形成し、このトレンチ構造に誘電体を埋め込んで素子分離層とし、この素子分離層の側面に縦型MOSFETのドレイン取り出し層を形成したことを特徴とする高耐圧MOSIC。

IPC (3)：

H01L 27/092 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/088

FI (2)：

H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 102 E