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J-GLOBAL ID：200903005950973274

半導体装置の製造方法

Inventor： 松井 裕一 ,  三木 浩史 ,  平山 美鈴 ,  中田 昌之 ,  中村 吉孝 ,  伊澤 勝 ,  大路 譲
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101474
Publication number (International publication number)：1995312365
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】比誘電率の低下をもたらすことなく、表面凹凸の大きい材料の下部電極上にも絶縁膜を均一に堆積することができ、低いリーク電流特性を示す絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、化学的気相成長(CVD)法によって金属膜上に絶縁膜を堆積・形成する半導体装置の製造工程において、金属膜中にあらかじめ他元素を添加しておき、上記絶縁膜堆積中に上記他元素を絶縁膜表面まで拡散させることによって CVD 原料の吸着確率を低減させ、絶縁膜の被覆性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法とすることによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

化学的気相成長(CVD)法によって金属膜上に絶縁膜を堆積・形成する半導体装置の製造工程において、金属膜中にあらかじめ他元素を添加しておき、上記絶縁膜堆積中に上記他元素を絶縁膜表面まで拡散させることによって CVD 原料の吸着確率を低減させ、絶縁膜の被覆性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J