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J-GLOBAL ID：200903005961923023

酸化物超電導体積層体およびその製造方法

Inventor：
山口 和也

About 山口 和也

, 
小早志 秀一

About 小早志 秀一

, 
佐藤 守

About 佐藤 守


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081912
Publication number (International publication number)：1999278835
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 より高い磁石との磁気反発力を有する酸化物超電導体積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 直径70mmで厚さ20mm程度の大きさを有し、超電導結晶間の方位のズレが±5 ゚以下である配向したREーBaーCuーO系酸化物超電導体を複数個作製し、これらそれぞれの超電導体を比較的臨界電流密度の低い上部から下部に2mmまでの部分と下部から上部に8mmまでの部分とをこれら超電導体結晶のc軸に垂直な面であるab面に対して角度のズレが15°以内である面に沿って切断除去して複数のスライス片を作製し、これらスライス片の切断面どうしを突き合わせて重さね合わせて積層体を形成するとともに、この積層体の前記スライス片の切断面に直交する方向の厚さtと前記切断面に平行な面の断面の断面積Aの平方根との比t/(A(1/2))が0.2以上となるようにした。
Claim (excerpt)：
隣接する超電導結晶間の方位のズレが±5 ゚以下である配向したREーBaーCuーO系酸化物超電導体を該超電導体結晶のc軸に垂直な面であるab面に対して角度のズレが15°以内である面に沿って切断して複数のスライス片を作製し、これらスライス片の切断面どうしを突き合わせて重さね合わせて積層体を形成するとともに、この積層体の前記スライス片の切断面に直交する方向の厚さtと前記切断面に平行な面の断面の断面積Aの平方根との比t/(A(1/2))が0.2以上となるようにしたことを特徴とする酸化物超電導体積層体。
IPC (7)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01F 6/00 ,  H01L 39/00 ,  H01L 39/02
FI (7)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 A ,  H01L 39/00 S ,  H01L 39/02 D ,  C04B 35/00 ZAA Z ,  H01F 7/22 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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