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J-GLOBAL ID：200903005970265110

プラズマ励起化学蒸着装置及びプラズマエッチング装置

Inventor： 酒井 道 ,  野元 克彦 ,  谷口 浩 ,  富田 孝司 ,  山本 義宏
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996128832
Publication number (International publication number)：1997312268
Application date： May. 23, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 VHF帯やUHF帯の周波数領域の高周波電磁波をプラズマCVD処理に用いることよる利点,つまりプラズマ密度の増大による成膜速度の増大やイオンシース電圧の減少による膜へのイオンダメージの低減を生かしつつ、プラズマ励起のための高周波電力の周波数増大により電極面内での成膜速度や膜質の分布が不均一になるのを防止する。【解決手段】 カソード電極101を、そのアノード電極2と対向する面の外縁部101aが盛り上がった形状とし、該カソード電極の盛上がり部分の表面を、これと対向するアノード電極の表面に対して傾斜した傾斜面として、カソード電極とアノード電極との間の空隙が、該両電極の外縁側部分ではその中心側部分に比べて狭くなるようにした。

Claim (excerpt)：

被処理部材に対してプラズマを用いた化学蒸着処理を行うための反応容器と、該反応容器内に配置され、接地されたアノード電極と、該反応容器内に該アノード電極と対向するよう配置され、プラズマを励起するための高周波電圧が印加されるカソード電極とを備え、該カソード電極とアノード電極との間の距離を、該両電極間に形成される電界の強度分布が該被処理部材の処理面に平行な面内でより均一となるよう、該面内で部分的に異ならせたプラズマ励起化学蒸着装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-285756   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマ反応装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-082113   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマCVD成膜方法と装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-226157   Applicant：日本真空技術株式会社