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J-GLOBAL ID：200903005975618215
プラズマ処理方法及び装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993091813
Publication number (International publication number)：1994280028
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ヘリコン波高温非平衡プラズマで発生させた活性種を、マルチカスプ磁場を形成した処理室に導いて、高速かつ大面積の基板処理を可能にする。【構成】 酸素ガスを流量200sccmで放電管51に導入し、シランガスを流量100sccmで処理室3に導入して、処理室3内の圧力を8×10-3Torrに保つ。放電管51の内部にヘリコン波高温非平衡プラズマ60を発生させる。処理室3内には磁場発生機構90によりマルチカスプ磁場を形成する。高周波電源33から1500Wの電力を出力して基板ホルダ-2にバイアス電圧を印加し、基板1は200°Cに加熱する。この条件で、直径10インチの大面積シリコンウェーハ上にSiO2膜を堆積し、膜厚分布2μm±3%を得た。処理室3の内壁面はフッ素樹脂で覆い、中性活性種の減少を防いだ。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生室と、プラズマ発生室に隣接して配置された処理室と、処理室内に設置されて被処理基板を保持する基板ホルダ-と、プラズマ発生室と処理室内とを真空に排気する排気機構と、被処理基板の表面処理に必要な気体をプラズマ発生室と処理室の少なくとも一方に導入する気体導入機構とを備えるプラズマ処理装置を用いて基板を処理するプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生室でヘリコン波を発生させ、このヘリコン波によって高温非平衡プラズマを作り気体を活性化することによって活性種を生成し、この活性種を処理室に導入し、処理室の内部に形成したマルチカスプ磁場によって処理室内部のプラズマを中央付近に閉じ込め、前記活性種によって基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5)：
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/302
, H05H 1/46
