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J-GLOBAL ID：200903005985686693

光電変換機能素子およびその製造方法

Inventor： 畑中 義式 ,  青木 徹 ,  荒川 篤俊 ,  佐藤 賢次
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱マテリアルズ
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001201542
Publication number (International publication number)：2003017747
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電極とオーミック接触をとれるZnTe系半導体コンタクト層を少なくとも有する積層構造を基体として用いた光電変換機能素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 pn接合を少なくとも有するII-VI族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、n型半導体層とn型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、In元素をn型不純物として含むn型半導体で構成されるようにした。

Claim (excerpt)：

pn接合を少なくとも有するII-VI族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、n型半導体層とn型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、In元素をn型不純物として含むn型半導体で構成されることを特徴とする光電変換機能素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/43

FI (3)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/22 P ,  H01L 29/46 B

F-Term (19)：

4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA72 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99