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J-GLOBAL ID：200903005989042766

基板処理装置

Inventor： 須田 敦彦 ,  岡山 智彦
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029896
Publication number (International publication number)：1996260158
Application date： Jan. 24, 1996
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【課題】内槽と外槽とを有する2槽構造の基板処理装置において、反応ガス等が外槽内に流れ込むことを防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】外槽40と内槽30とを備え、内槽30はカソード120とアノード130を備え、内槽30内に反応ガス導入管28を連通する。アノード130は基板載置台35とアノードヒータ33と備え、アノードヒータ33の周囲の内槽下側壁32に、排気孔49を基板載置台35を取り囲んで設ける。アノードヒータ33の下には排気槽37を設ける。排気槽37内は排気孔49を介して内槽30内と連通する。排気槽37内に連通して内排気管39を設け。内排気管39を、平面的に見て基板載置台35の中央部に位置させる。外槽40の底板211に外排気管41を設け、内排気管39を外排気管41に遊嵌させる。内排気管39を、底板211の内壁214よりも長さL2だけ突出させる。

Claim (excerpt)：

外槽と、前記外槽内に設けられた内槽と、前記内槽内に連通する反応ガス導入管と、少なくとも前記外槽の内壁面まで延在すると共に、前記内槽内に連通可能に設けられた第1の排気管と、前記外槽に設けられた排気孔と、前記排気孔に連通する第2の排気管と、を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C