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J-GLOBAL ID：200903005990001186
電界効果トランジスター及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321465
Publication number (International publication number)：1993136415
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 チャネル領域がソース/ドレイン領域よりも薄く且つ単結晶半導体膜である電界効果トランジスターを作製する。【構成】 絶縁物基体もしくは絶縁層に形成された凹部104,105内に成長し、平坦化された単結晶半導体膜110に形成される電界効果トランジスターであって、ソース領域及びドレイン領域の膜厚をチャネル領域の膜厚より厚くした電界効果トランジスター及びその製造方法。
Claim (excerpt)：
絶縁物基体もしくは絶縁層に形成された凹部内に成長し、平坦化された単結晶半導体膜に形成される電界効果トランジスターであって、ソース領域及びドレイン領域の膜厚をチャネル領域の膜厚より厚くした電界効果トランジスター。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 21/205
, H01L 21/84
