フォトリソグラフィによる回路素子の製造方法、熱安定性ポリイミドフィルム、混合ポリイミド及び半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：合田潔 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050106
Publication number (International publication number)：1995014762
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 400〜450nm範囲の照射を吸収し且つ400°Cを越える温度で安定なポリイミド組成物、高温でも安定な反射防止誘電層並びに該誘電層を有する半導体デバイスを簡便に提供する。【構成】ペリレン及びナフタレン等から得られ且つ405又は436nmでの照射を減衰するための十分な吸収を有する少なくとも1つの発色団を含有する反射防止ポリイミド若しくはポリイミド前駆体層を、基体上に付着し、200〜500°Cで加熱することを含むフォトリソグラフィによって、ICを製造する。

Claim (excerpt)：

(a)反射防止層を基体上に付着すること、該反射防止層は、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリアミドエステル又はこれらの組み合わせを含み且つ405又は436nmで照射を減衰するための十分な吸収をもたらすために、少なくとも1つの発色団を十分な濃度で含有する;そして、(b)該反射防止層及び基体を200〜500°Cで加熱し、反射防止ポリイミド層を含む機能的回路素子を提供すること;を含むフォトリソグラフィによる回路素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , C08G 73/10 NTF , C08K 5/3437 , C08L 79/08 LRB , G03F 7/11 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平1-247461
特開昭61-181829
特開平3-035239

Show all

Return to Previous Page