Pat

J-GLOBAL ID：200903005995359593

光結合半導体装置

Inventor： 荒木 俊雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993195546
Publication number (International publication number)：1995030143
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光結合半導体装置の発光・受光素子間の静電カップリングによる出力信号の変動および誤動作を低減し、受光素子の受光電流を増加させることを目的とする。【構成】 受光素子のフォトダイオード部の断面上層にp+拡散層またはn+拡散層を形成し、その拡散層を電磁シールドとして、受光回路の中で、その電磁シールドがグランドまたは電源電圧端子に直結する。さらに上記拡散層を追加することによって新たに形成されたフォトダイオードをできるだけ並列接続することによって、フォトダイオード部の受光電流を増加させる。

Claim (excerpt)：

発光素子と受光素子とを相対向して配置する1パッケージ封止の光結合半導体装置において、前記受光素子は光を受けて光電流を生成するフォトダイオード有しており、前記フォトダイオードは、P基板上にn+拡散層を埋め込み、前記基板上にエピタキシャル層を成長させ、前記エピタキシャル層にp+型拡散層を有する、あるいは、前記エピタキシャル層にp+型拡散層およびn+型拡散層を備えていることを特徴とする光結合半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/12

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-009655
  
• 特開平3-203382
  
• 特開平4-258178