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J-GLOBAL ID：200903006032474857

ナノ細孔シリカの機械的強度を最適化する方法

Inventor： ウー,ホゥイ-チュン ,  ドレジ,ジェイムス・エス ,  ブランガード,リサ・ベス ,  ラモス,テレサ ,  スミス,ダグラス・エム ,  ウォーレス,スティーブン ,  ロデリック,ケビン
Applicant, Patent owner： アライドシグナル・インコーポレイテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000568113
Publication number (International publication number)：2002524849
Application date： Aug. 17, 1999
Publication date： Aug. 06, 2002
Summary：

【要約】基体にナノ多孔質誘電被膜を生成する方法。本方法には、基体の表面に実質的に均一なアルコキシシランゲル組成物を生成し(該アルコキシシランゲル組成物は、少なくとも1つのアルコキシシラン、有機溶媒組成物、水、および任意のベース触媒の組合せを含む);基体を十分な時間かつ十分な温度で有機溶媒蒸気雰囲気中で加熱し、それによりゲル組成物を縮合し;ついでゲル組成物を硬化させて基体上に高機械的強度を有するナノ多孔質誘電被膜を生成することが含まれる。

Claim (excerpt)：

基体上にナノ細孔誘電性コーティングを形成する方法であって、(a)実質的に均一なアルコキシシランゲル組成物を基体の表面上に形成し、このアルコキシシランゲル組成物は少なくとも1種のアルコキシシラン、有機溶媒組成物、水及び所望による塩基触媒の組合せを含み、(b)基体を有機溶媒の蒸気雰囲気中で、十分な時間かつ十分な温度で加熱して、それによってゲル組成物を凝縮させ、そしてその後、(c)ゲル組成物を硬化してナノ細孔誘電性コーティングを基体上に形成することを含む前記の方法。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/152 ,  C08G 77/02 ,  C08J 7/06 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 ,  C08L 83:02

FI (7)：

H01L 21/316 G ,  C01B 33/152 B ,  C08G 77/02 ,  C08J 7/06 Z ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 C ,  C08L 83:02

F-Term (35)：

4F006AA42 ,  4F006AB67 ,  4F006BA05 ,  4F006CA08 ,  4F006DA04 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH19 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ38 ,  4G072JJ39 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK03 ,  4G072KK15 ,  4G072KK17 ,  4G072LL06 ,  4G072LL15 ,  4G072RR01 ,  4G072UU01 ,  4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J038DL021 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA17 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01