Pat
J-GLOBAL ID：200903006035748915
超電導ウィグラ励磁方法および超電導ウィグラ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
関 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996354021
Publication number (International publication number)：1998177900
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：
【要約】【課題】 超電導素子を冷却する極低温冷媒の消費を抑えて超電導ウィグラの長期連続運転が可能で、かつ磁場レベルの制御が容易な超電導ウィグラの励磁方法と、それを使用する超電導ウィグラを提供する。【解決手段】 超電導ディスク部17を極低温冷媒槽内に設置し磁石ロータ部15を槽外に設置した移動磁界型フラックスポンプ1を備え、磁石ロータを回転させることにより超電導回路内に磁束積み上げを行って、超電導ディスクに接続された超電導コイルを励磁する。また、磁石ロータ部15の磁石ロータは、水平腕を備え両端部に極性の異なる向きに永久磁石を固定することが好ましい。
Claim (excerpt)：
超電導ディスク部を極低温冷媒槽内に設置し磁石ロータを含む磁石ロータ部を槽外に設置した移動磁界型フラックスポンプを備え、磁気ロータを回転させることにより超電導コイルを含む超電導回路内に磁束積み上げを行い、蓄積された電流によって超電導ディスク部に接続された超電導コイルを励磁することを特徴とする超電導ウィグラ励磁方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H05H 13/04 F
, G21K 1/093 Z
