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J-GLOBAL ID：200903006036509159

半導体装置並びにその製造方法、半導体パッケージ並びに電子機器

Inventor： 山口 浩司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002345825
Publication number (International publication number)：2004179504
Application date： Nov. 28, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】積層された半導体素子間に金属層を配置することで、コンパクトな半導体パッケージにおいて、容易に放熱効果が得られる半導体パッケージ及びその製造方法に関する技術を提供する点にある。【解決手段】図1に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、第1の面とその裏面である第2の面とを含み、第2の面に金属層13を含む第1の半導体素子10と、前記第1の半導体素子10の前記第2の面に固着された第2の半導体素子20と、を備ることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の面と、前記第1の面の裏面である第2の面と、を含み、前記第2の面に金属層を含む第1の半導体素子と、 前記第1の半導体素子の前記第2の面に固着された第2の半導体素子と、を備ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1)：

H01L25/08 Z