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J-GLOBAL ID：200903006046224292

OBIC観察方法およびその装置

Inventor： 石井 達也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991298631
Publication number (International publication number)：1993136240
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップ表面の大部分が金属配線で覆われている高密度デバイスのOBIC観察を可能にする。【構成】 シリコン半導体デバイスに対し、光侵入深さ、つまりシリコンが光吸収を生じる深さ(光起電力効果を発生させるために必要光が届く深さ)がシリコンチップの厚さより深くなるような波長の光ビーム、例えば波長1064nmのYAGレーザ,波長1152nmのHeNeレーザなどを、シリコンチップの裏面側から照射してOBIC電流を測定する。【効果】 アルミニウム等の金属配線で覆われた領域のpn接合部分のOBIC観察が可能になる。

Claim (excerpt)：

(a)pn接合が形成された第1主面と、前記第1主面と対向する第2主面を有するシリコン基板に対し、前記第2主面側から光ビームを所定の走査を行いつつ照射する工程と、(b)前記pn接合において、前記光ビームが光起電力効果によって励起する電子正孔対が流すOBIC電流を検出する工程と、(c)前記OBIC電流と前記所定の走査とを対応させて前記シリコン基板における前記OBIC電流の分布を表示する工程と、を備え、前記光ビームは、前記シリコン基板の厚さよりも大きな光侵入深さを実現する波長を有する、OBIC観察方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  H01S 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-089442
  
• 特公昭63-039099