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J-GLOBAL ID：200903006054966664

光変調素子およびそれを用いた光メモリーの読み出し方法

Inventor： 森川 尚 ,  明石 量磁郎
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229387
Publication number (International publication number)：1993216183
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高密度、高感度、かつ安定性に優れ、しかも簡単な構成を有する光-光変調素子を提供する。また、この光変調素子を使用して、書き込まれたメモリーを非破壊的に読み出す方法を提供する。【構成】 光変調素子は、少なくともフォトクロミック化合物を一成分として含有する側鎖型高分子液晶を一軸方向に配向処理した高分子液晶膜よりなる。この光変調素子は、フォトクロミック化合物が吸収を持たない波長領域の光をフォトクロミック化合物の光異性化に伴い生じた高分子液晶膜の屈折率異方性の変化を使用して変調する。したがって、安定で高密度な光演算素子および書き替え可能な光メモリー材料として使用することができる。

Claim (excerpt)：

少なくともフォトクロミック化合物を一成分として含有する側鎖型高分子液晶を一軸方向に配向処理した高分子液晶膜よりなることを特徴とする、フォトクロミック化合物が吸収を持たない波長領域の光をフォトクロミック化合物の光異性化に伴い生じた高分子液晶膜の屈折率異方性の変化を使用して変調する光変調素子。

IPC (6)：

G03C 5/56 511 ,  G02F 1/13 102 ,  G02F 1/1333 ,  G03C 1/73 503 ,  G11B 7/00 ,  G11B 7/24 516