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J-GLOBAL ID：200903006064220849

熱処理装置

Inventor： 影 山 もくじ ,  松 下 嘉 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347179
Publication number (International publication number)：1994196491
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【構成】 ランプ104でウェーハWに高エネルギで光を当て、このウェーハW内にキャリアを発生させる。その後、管105,106のバルブを開けて処理室内に還元性ガスとして例えばH2 もしくはH2 とO族不活性ガスとArとの混合ガスを流し、その状態でコイル103に高周波電流を流し、SiウェーハWを誘導加熱する。すると、SiウェーハWの表面から酸素の外方拡散が促進され、SiウェーハWの最表面における酸素濃度は極端に少なく、かつ、SiウェーハW内部では析出に必要な酸素濃度が得られたデバイス製造歩留りの高い、高品質なSiウェーハが得られるようになる。【効果】 極めて高清浄なSiウェーハの熱処理が可能となる。

Claim (excerpt)：

処理室を画成するケーシングと、Siウェーハを保持した状態で前記処理室内に配されるウェーハ保持体と、前記ケーシングを透過する熱とは異なる形態で前記Siウェーハを加熱するための加熱エネルギを前記処理室内へ導入するウェーハ加熱装置とを備えている熱処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/26