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J-GLOBAL ID：200903006094067212

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法

Inventor：
夏 政煥

About 夏 政煥

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金 賢友

About 金 賢友

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畑 光宏

About 畑 光宏

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禹 相均

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Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005276470
Publication number (International publication number)：2006091888
Application date： Sep. 22, 2005
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：
【課題】 半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターン上に形成されている有機-無機混成シロキサンネットワーク膜と、を含むマスクパターンである。シロキサンネットワーク膜は、テトラアルコキシシラン架橋剤とトリアルコキシ-モノアルキルシランカップリング剤との反応産物からなる。シロキサンネットワーク膜を形成するために、まず、シロキサンオリゴマーをレジストパターンの表面にコーティングする。その後、レジストパターンの表面でシロキサンオリゴマーのゾル-ゲル反応を誘導する。シロキサンネットワーク膜を形成した後、シロキサンネットワーク膜の周囲に残留する未反応シロキサンオリゴマーを、純水で除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたレジストパターンと、 前記レジストパターン上に形成されて有機-無機混成シロキサンネットワーク膜と、を備えることを特徴とする半導体素子製造用のマスクパターン。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F1/08 D ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502P
F-Term (15)：
2H095BB16 ,  2H095BC19 ,  2H095BC20 ,  2H095BC24 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096HA07 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第6,110,637号明細書
  • 米国特許出願公開第2004/0009436 A1号明細書
Cited by examiner (9)
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