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J-GLOBAL ID：200903006099188182
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 詔男 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997292941
Publication number (International publication number)：1999126835
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体パッケージ内に進入した水分が加熱高庄ガス化して半導体パッケージにクラックを発生させることなく水分を半導体パッケージ外部へ排出して信頼性の向上を実現する。【解決手段】 絶縁性基板3上にハンダバンプ8が形成された半導体素子4と補強リング2が搭載され、前記半導体素子4と絶縁性基板3間には封入樹脂5を注入し、かつ前記半導体素子4と前記補強リング2上部にキャップ1が搭載される半導体装置において、前記補強リング2、あるいは前記キャップ1と前記補強リング2との境界、あるいは前記絶縁性基板3と前記補強リング2との間に形成した通気孔12によって、装置内外の通気性を確保したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に、突起電極が形成された半導体素子と該半導体素子の周囲を囲繞するようにして配置される補強リングとが搭載され、前記半導体素子と前記絶縁性基板との間には樹脂を注入し、かつ前記半導体素子および前記補強リングの上部にキャップが搭載される半導体装置において、前記補強リング、あるいは前記キャップと前記補強リングとの境界、あるいは前記絶縁性基板と前記補強リングとの間に形成した通気孔を、前記絶縁性基板と前記半導体素子と前記補強リングとによって囲繞された領域の内外に連通させて通気性を確保したことを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 23/02 B
, H01L 23/02 G
