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J-GLOBAL ID:200903006109702726
カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000402668
Publication number (International publication number):2002206169
Application date: Dec. 28, 2000
Publication date: Jul. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 基盤に対して、密着性が高いカーボンナノチューブ接合体の提供。【解決手段】 対向電極13によって電界が形成され、メタンガスが充填された領域中に、 Ni表面層を有する成長用基板12と支持基板1とを対向配置し、成長したカーボンナノファイバー12の先端に存在するNi粒子4が成長用基板12に接触するまでカーボンナノチューブ2を成長させることで、カーボンナノチューブを支持基板1に接合した後、成長用基板を除去する。
Claim (excerpt):
カーボンナノチューブの成長作用を持つ金属触媒を含有する成長用基板と接合面を有する支持基板とを対向配置し、前記成長用基板および前記支持基板間に電界を印加しながら前記成長用基板および前記支持基板間に前記カーボンナノチューブの原料ガスを導入して前記成長用基板表面から前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接触するまで成長させることで、前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接合し、前記成長用基板を除去することを特徴とするカーボンナノチューブ接合体の製造方法。
IPC (7):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
, C23C 16/01
, H01J 1/304
, H01J 9/02
, B82B 1/00
, B82B 3/00
FI (7):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/01
, H01J 9/02 B
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01J 1/30 F
F-Term (13):
4G046CA02
, 4G046CB01
, 4G046CB09
, 4G046CC06
, 4G046CC08
, 4K030AA09
, 4K030AA18
, 4K030BA27
, 4K030CA06
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030LA00
Patent cited by the Patent:
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