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J-GLOBAL ID：200903006113538701

マイクロ波励起プラズマ処理装置

Inventor： 山内 健資 ,  青木 克明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303363
Publication number (International publication number)：1997129613
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 マイクロ波出力および圧力共に広い範囲で安定したプラズマをプラズマ生成室内に均一に発生することが可能なマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供するものである。【解決手段】 上部にプラズマ生成室、下部に被処理部材が配置される処理室を有する真空チャンバと、ガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口部に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に配置され、マイクロ波の電界方向に垂直な面(H面)が前記誘電体窓に対向し、マイクロ波の電界方向に平行な面(E面)が前記H面に対して垂直方向に伸び、かつマイクロ波を反射する反射面を有する矩形状の導波管とを具備し、前記導波管は前記E面近傍の前記H面に2つのスリットが前記E面に沿ってそれぞれ開口され、かつ前記スリットは前記反射面側ほど狭い幅を有することをを特徴としている。

Claim (excerpt)：

上部にプラズマ生成室、およびこのプラズマ生成室の下方に形成され、被処理部材が配置される処理室を有する真空チャンバと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するためのガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に配置され、マイクロ波の電界方向に垂直な面(H面)が前記誘電体窓に対向し、マイクロ波の電界方向に平行な面(E面)が前記H面に対して垂直方向に伸び、かつマイクロ波導入側と反対側に前記H面およびE面に対して垂直に設けられたマイクロ波を反射する反射面を有する矩形状の導波管と、を具備し、前記導波管は、前記E面近傍の前記H面に2つのスリットが前記E面に沿って平行もしくはほぼ平行それぞれ開口され、かつ前記スリットは前記反射面側ほど狭い幅を有することを特徴とするマイクロ波励起プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46 ,  C23C 14/24

FI (4)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B ,  C23C 14/24 T