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J-GLOBAL ID：200903006121975649

保護ダイオードを備えたCMOS半導体装置

Inventor： 丹羽 寿雄
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305691
Publication number (International publication number)：1993121684
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 LDD構造のCMOS半導体装置において静電耐圧を向上させた保護ダイオードを設ける。【構成】 半導体基板1に形成された保護ダイオードを有するLDD構造のCMOS半導体装置において、Pウェル2内に形成されるNチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域は高濃度n型拡散層4が低濃度n型拡散層3に完全に覆われる構造を有し、Pウェル2内に形成されるN型保護ダイオードの活性領域には低濃度n型拡散層3を設けずに、PN接合面をPウェル2と高濃度n型拡散層4の接合部で構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された入力及び出力保護ダイオードを備えたLDD構造のCMOS半導体装置において、Pウェル内に形成されているNチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域は高濃度n型拡散層が低濃度n型拡散層に完全に覆われている構造を有しており、前記入力及び出力保護ダイオードの中のPウェル内に形成されているN型保護ダイオードの活性領域には、前記NチャネルMOSFETのソース・ドレイン領域を構成している低濃度n型拡散層を設けずに、N型保護ダイオードのPN接合面がPウェルと高濃度n型拡散層の接合部で構成されていることを特徴とする保護ダイオードを備えたCMOS半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/092 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (4)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-076676
  
• 特開昭61-156856