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J-GLOBAL ID：200903006133718978

イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法

Inventor： 冨田 勝彦 ,  野村 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995172839
Publication number (International publication number)：1997005293
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 従来にはない新規で有用なイオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法を提供すること。【構成】 イオン応答センサの製造方法は、シリコン基板2をチャンバ1内に設け、このチャンバ1内にイオン応答物質成分を含む反応ガスGを流しながら紫外線レーザLをシリコン基板2に照射することにより、シリコン基板2上にイオン応答物質層3を形成するようにした。

Claim (excerpt)：

シリコン基板をチャンバ内に設け、このチャンバ内にイオン応答物質成分を含む反応ガスを流しながら、シリコン基板に紫外線レーザを照射してシリコン基板上にイオン応答物質層を形成するようにしたことを特徴とするイオン応答センサの製造方法。

IPC (2)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/333

FI (2)：

G01N 27/30 301 G ,  G01N 27/30 331 E