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J-GLOBAL ID：200903006139471281

半導体装置

Inventor： ▲高▼橋 美朝 ,  小林 研也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256671
Publication number (International publication number)：1993198816
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】縦型電界効果トランジスタのドレイン・ソース間寄生ダイオードが逆回復動作する場合の破壊耐量を向上させる。【構成】複数のトランジスタ6が並列接続されたセル領域1の外周部10に少なくとも1列以上のダイオード9あるいはダイオード27を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に、外部引き出し用の電極パッド部と、複数のトランジスタが並列接続されたセル領域とを有する半導体装置において、前記半導体基板に前記半導体基板を一方の電極領域とする複数のダイオードを前記セル領域の外周部の少なくとも一部に一列以上の列をなして形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06

FI (3)：

H01L 29/78 321 K ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 29/78 321 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-084865
  
• 特開昭63-073564
  
• 特開昭61-124178