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J-GLOBAL ID：200903006141856778
転写マスクの形成方法及びその方法に用いる電子線描画装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993189445
Publication number (International publication number)：1995135156
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 転写パターンの位置精度の良好なX線リソグラフィー用の転写マスクを提供する。【構成】 電子線描画によってウエハ表面に転写パターンを形成した後に、基板をエッチングしてフレームを形成する転写マスクの形成方法において、第1の工程S1では位置ずれ量算出用の転写マスク形成する。第2の工程S2では、位置ずれ量算出用の転写マスクを用いて支持膜の応力によって生じる転写パターンの位置ずれ量Aを算出する。第3の工程S3では、第2の工程S2で算出した位置ずれ量Aとフレームの線膨張係数kとX線リソグラフィーの際の転写マスクの温度Tとから描画温度T1 を算出する。第4の工程では、転写マスク形成用ウエハを、上記第4の工程で算出した描画温度T1 に保ちながら電子線描画を行うことによって転写マスクを形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に転写パターンを支持する支持膜を介してパターン形成膜を成膜したウエハを作成し、電子線描画によって前記パターン形成膜よりなる転写パターンを形成した後、前記ウエハの裏面から前記基板をエッチングして当該基板よりなるフレームを形成してX線リソグラフィー用の転写マスクを形成する方法において、転写マスク形成用のウエハと同様に作成したウエハを所定温度に保ちながら電子線描画を行うことによって、位置ずれ量算出用の転写マスク形成する第1の工程と、前記位置ずれ量算出用の転写マスクを所定温度に保ちながら当該位置ずれ量算出用の転写マスクに形成された転写パターンの形成位置を測定することによって、支持膜の応力によって生じる転写パターンの位置ずれ量を算出する第2の工程と、前記工程で算出した転写パターンの位置ずれ量とフレームの線膨張係数とから算出した補正温度差と、X線リソグラフィーの際の転写マスクの温度とによって描画温度を算出する第3の工程と、転写マスク形成用のウエハを、前記第3の工程で算出した描画温度に保ちながら電子線描画を行うことによって、転写マスクを形成する第4の工程とを行うことを特徴とする転写マスクの形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 541 P
, H01L 21/30 531 M
