Pat

J-GLOBAL ID：200903006143189825

プラズマ処理装置

Inventor： 南部 英高
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997047104
Publication number (International publication number)：1998228999
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】LSI製造に対し問題となるゴミの発生を抑制するプラズマ処理装置の提供。【解決手段】下部電極カバーB118の形状を盆型とし、下部電極カバーA117と盆型下部電極カバーB118の隙間を無くすことで、プラズマの下部電極カバーB裏面への回り込みを無くし、下部電極カバーB裏面にデポジションが堆積することを抑制し、結果として、下部電極カバーB裏面に堆積したデポジションを原因とするゴミの発生を抑制する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、導波管に接続された誘導体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応容器と、反応容器内に処理すべき試料基板を載置するために設けられた試料保持部と、試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段と、試料と対向に配置されたマイクロ波が通過できる窓が設けられ、プラズマの均一性制御に有効なマイクロ波分散板を備えたプラズマ処理装置において、誘導体で形成された2分割型の下部電極カバー、すなわち第1下部電極カバーと第2下部電極カバーがそれぞれ外周部で重なり合って、前記第1および第2下部電極カバーの間に、プラズマが回り込まないような構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B