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J-GLOBAL ID：200903006150799981

半導体装置とアクティブマトリックス基板および液晶表示装置

Inventor： 若木 政利 ,  安藤 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239699
Publication number (International publication number)：1999087717
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】バックライトや光源を用いる高輝度の液晶表示装置のコントラスト低下や表示むらなどの画質劣化を改善する光リーク電流を抑制したTFT(Thin Film Transistor)を備えた液晶表示装置用アクティブマトリックス基板の提供。【解決手段】透明基板上にゲート電極2、半導体層4、ソース電極7、ドレイン電極6を備えた電界効果型TFTと透明電極を有するアクティブマトリックス基板の前記ゲート電極2のエッジ上の半導体層の幅が、ゲート電極上のチャネル部の半導体層の幅より小さく形成(a<b)されているアクティブマトリックス基板。

Claim (excerpt)：

ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極のエッジ上の半導体層の幅がゲート電極上のチャネル部の半導体層の幅より小さく形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 618 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T