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J-GLOBAL ID：200903006167922213

高周波デバイス

Inventor： 寺島 喜昭 ,  山崎 六月 ,  福家 浩之 ,  相賀 史彦 ,  加藤 理一 ,  加屋野 博幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000330615
Publication number (International publication number)：2002141705
Application date： Oct. 30, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 特性に優れたフィルタを実現することができるとともに、スカート特性やリップル特性の変動なしにフィルタの通過周波数を精度よく容易に調整することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】 基板11上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子12からなるフィルタ素子と、超伝導体膜が形成された基板11表面に略平行に対向し、かつ複数の共振素子12及び共振素子12間の間隙を覆うように配置された誘電体板16と、誘電体板16の基板11との対向面と基板11表面との間隔を制御するための間隔制御手段17とを備える。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の超伝導体膜によって構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前記第1の超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記基板表面との間隔を制御するための間隔制御手段と、を備えたことを特徴とする高周波デバイス。

IPC (2)：

H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA

FI (2)：

H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z

F-Term (20)：

4M113AC44 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD42 ,  4M113BA04 ,  4M113BC04 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  5J006HB03 ,  5J006JA01 ,  5J006LA11 ,  5J006LA25 ,  5J006MA01 ,  5J006MB02 ,  5J006MB03 ,  5J006NA01 ,  5J006NE03 ,  5J006NE11 ,  5J006PA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-368006
  
• 超伝導フィルタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-021829   Applicant：ダイキン工業株式会社