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J-GLOBAL ID：200903006168372373

磁気抵抗読取りトランスデューサ

Inventor： マオ=ミン・チェン ,  コチャン・ジュ ,  モハマド・ティー・クルンビー ,  チン・ホワ・ツァン ,  ポー=カン・ワン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001673
Publication number (International publication number)：1994084145
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 磁気抵抗(MR)読取りトランスデューサの安定性およびそのバイアス・プロファイルを改善すること。【構成】 中央能動領域(34)で分離された端部受動領域(38)を持つMR読取りトランスデューサは、低い一軸磁気異方性を持つ材料でできたMR層(31)を備えている。軟磁性バイアス層(33)は、MR層の中央領域だけと隣接しているが隔置されており(32)、高い一軸磁気異方性を持つ材料でできている。縦方向バイアスは、各端部領域中だけで直接発生され、縦方向バイアスを発生させる手段は、高い一軸磁気異方性を持つ材料でできた層(35)を備えている。適切な磁気ひずみまたは固有一軸異方性を持つ材料を選択すると、一軸異方性が制御できる。

Claim (excerpt)：

中央能動領域で分離された受動端部領域を持つ磁気抵抗読取りトランスデューサであって、低い一軸磁気異方性を持つ材料からできた磁気抵抗層と、前記磁気抵抗層と隣接するがそれと隔置された、横信号方向に沿って高い一軸磁気異方性を持つ材料からできた、前記中央能動領域中の軟磁性バイアス層と、縦方向に沿って高い一軸磁気異方性を持つ材料からできた層を含む、前記各端部領域だけに直接縦方向バイアスを発生させる手段とを備えることを特徴とする磁気抵抗読取りトランスデューサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-117310